Disorder-Controlled Electrical Properties in the Ho2Sb1–xBixO2 Systems
Disorder-Controlled Electrical Properties in the Ho2Sb1–xBixO2 Systems
复制标题
Ho2Sb1–xBixO2 系统中的无序控制电特性
DOI：
10.1021/cm3033302
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发表时间：
2013
影响因子：
8.6
通讯作者：
Y. Mozharivskyj
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
P. Wang;T. Kolodiazhnyi;Jinlei Yao;Y. Mozharivskyj
制备了高纯度Ho2Sb1-xBixO2相（x = 0,0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0）的散装样品，并进行了结构和元素分析以及物理性质测量。…
High-purity bulk samples of the Ho2Sb1–xBixO2 phases (x = 0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0) were prepared and subjected to structural and elemental analysis as well as physical property measurements. The...
影响因子：
5
作者：
Koumoto, K;Terasaki, I;Funahashi, R
通讯作者：
Funahashi, R