Surface science lettersSTM study of epitaxial growth of Ge on Si(001)
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表面科学快报 Si(001) 上 Ge 外延生长的 STM 研究
DOI：
10.1016/0039-6028(91)90574-c
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发表时间：
1991
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
O. Nishikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Fumikazu Iwawaki;M. Tomitori;O. Nishikawa
