Fundamental investigation of silicon wafer edge treatment by ultrasonically assisted polishing (UAP)
Fundamental investigation of silicon wafer edge treatment by ultrasonically assisted polishing (UAP)
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超声波辅助抛光（UAP）硅片边缘处理的基础研究
DOI：
10.1504/ijmpt.2011.039935
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发表时间：
2011-04
影响因子：
0.5
通讯作者：
Yang, Weiping
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wu, Yongbo;Yang, Weiping
作为通过在先前的工作中提出的超声辅助抛光（UAP）完全建立硅晶片边缘处理技术的一个步骤（Yang等人，2008;小林，2008），本工作涉及几个主要工艺参数（即，晶片旋转速度和浆料供给速率）对晶片表面形貌、表面粗糙度和材料去除的影响。所获得的实验结果表明：
As a step toward the complete establishment of the silicon wafer edge treatment technique by ultrasonically assisted polishing (UAP) proposed in previous works (Yang et al., 2008; Kobayashi, 2008), the present work deals with the effects of several dominant process parameters (i.e., wafer rotational speed and slurry supply rate) on the wafer surface topography, the surface roughness, and the material removal in details. The obtained experimental results showed that:
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DOI：
10.1016/s0890-6955(01)00109-2
发表时间：
2002
影响因子：
14
作者：
Jianxin Deng;Tai-chiu Lee
通讯作者：
Jianxin Deng;Tai-chiu Lee
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
F. W. Preston
通讯作者：
F. W. Preston
DOI：
10.1299/jsmec.47.43
发表时间：
2004-03
期刊：
Jsme International Journal Series C-mechanical Systems Machine Elements and Manufacturing
影响因子：
--
作者：
Y. Fan;Yongbo Wu;Masana Kato;T. Tachibana;K. Syoji;T. Kuriyagawa
通讯作者：
Y. Fan;Yongbo Wu;Masana Kato;T. Tachibana;K. Syoji;T. Kuriyagawa
DOI：
10.1016/s0890-6955(01)00099-2
发表时间：
2002
影响因子：
14
作者：
H. Hocheng;K. Kuo
通讯作者：
H. Hocheng;K. Kuo
影响因子：
6.3
作者：
Yongbo Wu;Y. Fan;M. Kato;T. Kuriyagawa;K. Syoji;T. Tachibana
通讯作者：
Yongbo Wu;Y. Fan;M. Kato;T. Kuriyagawa;K. Syoji;T. Tachibana