Analysis of electronic structure of amorphous InGaZnO/Si02 interface by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy
Analysis of electronic structure of amorphous InGaZnO/Si02 interface by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy
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角分辨X射线光电子能谱分析非晶InGaZnO/SiO2界面的电子结构
DOI：
10.1063/1.4828869
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发表时间：
2013
影响因子：
3.2
通讯作者：
H. Daimon and Y. Uraoka
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Ueoka;Y. Ishikawa;N. Maejima;F. Matsui;H. Matsui;H. Yamazaki;S. Urakawa;M. Horita;H. Daimon and Y. Uraoka
