900 V/1.6 m Omega . cm(2) Normally Off Al2O3/GaN MOSFET on Silicon Substrate
900 V/1.6 m Omega . cm(2) Normally Off Al2O3/GaN MOSFET on Silicon Substrate
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900 V/1.6 m 欧米茄。
DOI：
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发表时间：
2014
影响因子：
3.1
通讯作者：
Shen, Bo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hao, Yilong;Wu, Wengang;Chen, Kevin J.;Shen, Bo
