Effect of growth interrupt and growth rate on MOVPE-grown InGaN/GaN MQW structures
Effect of growth interrupt and growth rate on MOVPE-grown InGaN/GaN MQW structures
复制标题
生长中断和生长速率对 MOVPE 生长的 InGaN/GaN MQW 结构的影响
DOI：
10.1016/s0022-0248(02)01847-x
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发表时间：
2003
影响因子：
1.8
通讯作者：
G. Tendeloo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Jacobs;B. V. Daele;M. Leys;I. Moerman;G. Tendeloo
