Properties of silicon carbide
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DOI：
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发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G. Harris;Inspec
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Harris;Inspec
基本物理性质光学和顺磁性质载流子性质和能带结构能级表面结构，金属化和氧化蚀刻扩散杂质和离子注入体和外延生长接触和结肖特基二极管，晶体管和光电子器件。
Basic physical properties optical and paramagnetic properties carrier properties and band structure energy levels surface structure, metallization and oxidation etching diffusion of impurities and ion implantation bulk and epitaxial growth contacts and junctions Schottky diodes, transistors and optoelectronic devices.