Metal to semiconductor transition on Ag/Ge(111): Surface electronic structure of the 3×3, 39×39, and 6×6 surfaces
Metal to semiconductor transition on Ag/Ge(111): Surface electronic structure of the 3×3, 39×39, and 6×6 surfaces
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Ag/Ge(111) 上的金属到半导体的跃迁：3×3、39×39 和 6×6 表面的表面电子结构
DOI：
10.1103/physrevb.63.195402
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发表时间：
2001
影响因子：
3.7
通讯作者：
R. Uhrberg
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hanmin Zhang;T. Balasubramanian;R. Uhrberg
Ag/Ge（111）上的金属-半导体转变：面E_3 ×面E_3、面E_39 ×面E_39和面E_6的表面电子结构
Metal to semiconductor transition on Ag/Ge(111) : surface electronic structure of the √3 × √3, √39 × √39 and 6x6 surfaces