Exciton-LO Phonon Coupling Strength in AlGaN/AlN Quantum Wells
Exciton-LO Phonon Coupling Strength in AlGaN/AlN Quantum Wells
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AlGaN/AlN 量子阱中的激子-LO 声子耦合强度
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Funato and Y. Kawakami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. G. Banal;M. Funato and Y. Kawakami
