ChargeTrapping Memory Characteristics of Amorphous-Indium-Gallium-Zinc Oxide ThinFilm Transistors With Defects Engineered Alumina Dielectric
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具有缺陷工程氧化铝电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电荷捕获存储器特性
DOI：
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发表时间：
2015
影响因子：
3.1
通讯作者：
He Duan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jun Liang;Bingfeng Fan;Gang Wang;He Duan
