金表面上に高密度に形成した遷移金属ホスフィンおよびイソシアニド錯体単分子層を利用した触媒反応場の構築
金表面上に高密度に形成した遷移金属ホスフィンおよびイソシアニド錯体単分子層を利用した触媒反応場の構築
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利用金表面高密度形成的过渡金属膦和异氰化物络合物单分子层构建催化反应场
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
原賢二
中科院分区：
文献类型：
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作者：
板崎真澄;市村彰男;中沢浩;阿部竜;原賢二
