Angle-resolved Photoelectron Study on the Structures of Silicon Nitride Films and Si_3N_4 / Si Interfaces Formed using Nitrogen-Hydrogen Radicals
Angle-resolved Photoelectron Study on the Structures of Silicon Nitride Films and Si_3N_4 / Si Interfaces Formed using Nitrogen-Hydrogen Radicals
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氮化硅薄膜结构和氮氢自由基形成的Si_3N_4/Si界面的角分辨光电子研究
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takashi Aratani
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tsuneo Okubo;Junichi Okamoto;Akira Tsuchida;Takashi Aratani
