Highly Strained-Si/Relaxed-Ge Epitaxial Growth on Si(100) by ECR Plasma CVD and Evaluation of Thermal Stability
Highly Strained-Si/Relaxed-Ge Epitaxial Growth on Si(100) by ECR Plasma CVD and Evaluation of Thermal Stability
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利用 ECR 等离子体 CVD 在 Si(100) 上进行高应变 Si/松弛 Ge 外延生长及热稳定性评价
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Sugawara et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y;Morita・S;Akine・T;Nabeshima;Toshikazu Takata;K.Sugawara et al.
