The semiconductor to metal transition in FeSi1-xGex probed by high resolutionx-ray absorption spectroscopy
The semiconductor to metal transition in FeSi1-xGex probed by high resolutionx-ray absorption spectroscopy
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通过高分辨率 X 射线吸收光谱探测 FeSi1-xGex 中的半导体到金属的转变
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Kawatsura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Tsujii;H. Yamaoka;H. Oohashi;I. Jarrige;D. Nomoto;K. Takahiro;K. Ozaki;K. Kawatsura
