Ultrafast optical Stark mode-locked semiconductor laser.
Ultrafast optical Stark mode-locked semiconductor laser.
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超快光学斯塔克锁模半导体激光器。
DOI：
10.1364/ol.33.002797
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
3.6
通讯作者：
A. Tropper
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Wilcox;Z. Mihoubi;G. Daniell;S. Elsmere;A. Quarterman;I. Farrer;D. Ritchie;A. Tropper
本文报道了用光学斯塔克被动锁模半导体圆盘激光器在1GHz重复频率下直接产生的260fs变换极限脉冲。采用表面复合半导体可饱和吸收镜和阶跃型增益结构。光学斯塔克效应的数值传播模型证实了这种机制能够形成我们观察到的脉冲。
We report on 260 fs transform-limited pulses generated directly by an optical Stark passively mode-locked semiconductor disk laser at a 1 GHz repetition rate. A surface recombination semiconductor saturable absorber mirror and a step-index gain structure are used. Numerical propagation modeling of the optical Stark effect confirms that this mechanism is able to form the pulses that we observe.