(111)InP基板上のMBE成長InGaAs/InAlAs 量子井
(111)InP基板上のMBE成長InGaAs/InAlAs 量子井
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(111)MBE 在 InP 衬底上生长 InGaAs/InAlAs 量子阱
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
谷口あずさ
中科院分区：
文献类型：
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作者：
河村裕一;谷口あずさ
