ＣＭＯＳ ＳＲＡＭセルのしきい値電圧ばらつき耐性評価用ＴＥＧの設計及び評価
ＣＭＯＳ ＳＲＡＭセルのしきい値電圧ばらつき耐性評価用ＴＥＧの設計及び評価
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用于评估 CMOS SRAM 单元阈值电压变化容限的 TEG 设计和评估
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
伊見 仁，徳丸 翔吾，岡村 均，中村 和之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kondo;H. Yamamoto;H. Imi;H. Okamura;K. Nakamura;伊見 仁，徳丸 翔吾，岡村 均，中村 和之
