Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) Double Layer Stacking on Si(111) Substrates
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Si(111) 基板上 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) 双层堆叠上的外延石墨烯形成
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Suemitsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Jiao;H. Fukidome;H. Nagasawa;S. Filimonov;M. Tateno;I. Makabe;T. Nakabayashi;and M. Suemitsu
