PLD法によるCuInS2のGaAs基板上におけるエピタキシャル成長
PLD法によるCuInS2のGaAs基板上におけるエピタキシャル成長
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PLD法在GaAs衬底上外延生长CuInS2
DOI:
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发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
吉田亮,堀川祐輔,沈用球,脇田和樹
中科院分区:
文献类型:
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作者:
中本 剛;仲林 裕司;吉田亮,堀川祐輔,沈用球,脇田和樹