MBE Growth of GaAs/AlGaAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well and Its Electrorefractive Properties

MBE Growth of GaAs/AlGaAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well and Its Electrorefractive Properties
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GaAs/AlGaAs五层不对称耦合量子阱的MBE生长及其电折射性能

DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Abstract workbook of the 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2006), p.155
影响因子：
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通讯作者：
K.Tada
K.Tada
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
T.Arakawa;K.Takada;T.Arima;J.-H.Noh;K.Tada

文献摘要

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