Negative-bias driving voltage for class-E GaN HEMT oscillator using a diode

Negative-bias driving voltage for class-E GaN HEMT oscillator using a diode
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使用二极管的 E 类 GaN HEMT 振荡器的负偏置驱动电压

DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
2013 International Workshop on Nonlinear Circuits, Communications and Signal Processing (NCSP'13)
影响因子：
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通讯作者：
and Tadashi Suetsugu
and Tadashi Suetsugu
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Youhei Noguchi;Xiuqin Wei;Tomoharu Nagashima;Hiroo Sekiya;and Tadashi Suetsugu

文献摘要

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