New growth mechanism of InAs nanowires array in selective-area growth by MOCVD
New growth mechanism of InAs nanowires array in selective-area growth by MOCVD
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MOCVD选择性区域生长InAs纳米线阵列的新生长机制
DOI：
10.1016/j.vacuum.2022.111665
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
4
通讯作者：
Tao Yang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xiaoye Wang;Xue Bai;Xiaoguang Yang;Wenna Du;Tao Yang
