Order-of-magnitude enhancement of direct-gap photoluminescence from patterned Ge epitaxial layers on Si induced by a wet chemical treatment
Order-of-magnitude enhancement of direct-gap photoluminescence from patterned Ge epitaxial layers on Si induced by a wet chemical treatment
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湿化学处理引起的 Si 上图案化 Ge 外延层直接间隙光致发光的数量级增强
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
石川 靖彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
八子 基樹;石川 靖彦
