Vacancy-enhanced submonolayer nucleation of Si on Si(111)
Vacancy-enhanced submonolayer nucleation of Si on Si(111)
复制标题
Si(111)上空位增强的Si亚单层成核
DOI：
10.1016/s0039-6028(01)01658-2
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Lu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Wedding;Gwo;T. Lu
