Enhancement of epitaxial lateral overgrowth in the mist chemical vapor deposition of α-Ga2O3 by using a-plane sapphire substrate
Enhancement of epitaxial lateral overgrowth in the mist chemical vapor deposition of α-Ga2O3 by using a-plane sapphire substrate
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使用a面蓝宝石衬底增强α-Ga2O3喷雾化学气相沉积中的外延横向过度生长
DOI：
10.7567/1347-4065/ab55c6
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发表时间：
2019
影响因子：
1.5
通讯作者：
Fujita Shizuo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jinno Riena;Yoshimura Nobuhiro;Kaneko Kentaro;Fujita Shizuo
