Single charge and single spin effect in silicon CMOS devices
Single charge and single spin effect in silicon CMOS devices
复制标题
硅 CMOS 器件中的单电荷和单自旋效应
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Ono
中科院分区：
文献类型：
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作者：
森山悟士;森貴洋;大野圭司;K. Ono
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电荷奇偶校验电流表。
影响因子：
10.8
作者：
N. Lambert;M. Edwards;C. Ciccarelli;A. Ferguson
通讯作者：
A. Ferguson
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影响因子：
4
作者：
A. Betz;S. Barraud;Q. Wilmart;B. Plaçais;X. Jehl;M. Sanquer;M. Gonzalez
通讯作者：
M. Gonzalez
硅纳米结构中的单供体检测
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
G. Zalba;M. Fernando
通讯作者：
M. Fernando
DOI：
10.1103/physrevapplied.4.014018
发表时间：
2015-02
期刊：
arXiv: Mesoscale and Nanoscale Physics
影响因子：
--
作者：
J. Stehlík;Y. Liu;C. Quintana;C. Eichler;T. Hartke;J. Petta
通讯作者：
J. Stehlík;Y. Liu;C. Quintana;C. Eichler;T. Hartke;J. Petta
影响因子：
10.8
作者：
Betz, A. C.;Wacquez, R.;Gonzalez-Zalba, M. F.
通讯作者：
Gonzalez-Zalba, M. F.