Scanning capacitance microscopy investigation on InGaAs/InP avalanche photodiode structures: Light-induced polarity reversal
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InGaAs/InP 雪崩光电二极管结构的扫描电容显微镜研究：光诱导极性反转
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期刊：
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通讯作者：
Hao Yin, T. X. Li, W. J. Wang, et.al
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hao Yin, T. X. Li, W. J. Wang, et.al
