Si基板表面炭化により形成したSiC薄膜上へのGaNのMOVPE成長
Si基板表面炭化により形成したSiC薄膜上へのGaNのMOVPE成長
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通过 Si 衬底表面碳化形成的 SiC 薄膜上 GaN 的 MOVPE 生长
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩，出浦 桃子
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masaaki Nakai;Mitsuo Niinomi;Huihong Liu,Hidetoshi Fujii;朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩，出浦 桃子
