M.Araki, H.Fujikura and H.Hasegawa: "Fabrication of InGaAs Quantum Wires and Dots by Selective Molecular Beam Epitaxial Growth on Various Mesa-Patterned (001) InP Substrates" Japanese Journal of Apllied Physics. 36. 1763-1769 (1997)
M.Araki, H.Fujikura and H.Hasegawa: "Fabrication of InGaAs Quantum Wires and Dots by Selective Molecular Beam Epitaxial Growth on Various Mesa-Patterned (001) InP Substrates" Japanese Journal of Apllied Physics. 36. 1763-1769 (1997)
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M.Araki、H.Fujikura 和 H.Hasekawa：“通过在各种台面图案 (001) InP 衬底上选择性分子束外延生长制造 InGaAs 量子线和点”，《日本应用物理学杂志》。
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