A Novel MONOS Memory with High-k HfLaON as Charge-Storage Layer
A Novel MONOS Memory with High-k HfLaON as Charge-Storage Layer
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以高 k HfLaON 作为电荷存储层的新型 MONOS 存储器
DOI：
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发表时间：
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影响因子：
2
通讯作者：
P. T. Lai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
L. Liu;J. P. Xu;X. D. Huang;P. T. Lai
