Device modeling of high electron mobilitytransistors: small signal and noise modeling
Device modeling of high electron mobilitytransistors: small signal and noise modeling
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高电子迁移率晶体管的器件建模：小信号和噪声建模
DOI：
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发表时间：
2015
影响因子：
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通讯作者：
Jianjun Gao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shen Li;Chen bo;Sun Ling;Jianjun Gao
