Molecular beam epitaxial growth of GaAs1−XNX with dispersive nitrogen source
Molecular beam epitaxial growth of GaAs1−XNX with dispersive nitrogen source
复制标题
分散氮源 GaAs1−XNX 分子束外延生长
DOI：
10.1016/s0022-0248(02)01354-4
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发表时间：
2002
影响因子：
1.8
通讯作者：
W. Fan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Wang;S. Yoon;T. K. Ng;W. Loke;W. Fan
DOI：
10.1143/jjap.35.1273
发表时间：
1996-02-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Kondow, M;Uomi, K;Yazawa, Y
通讯作者：
Yazawa, Y