PECVD法により成膜したSiO2マスクの品質がHVPE成長におけるGaNの選択成長に与える影響
PECVD法により成膜したSiO2マスクの品質がHVPE成長におけるGaNの選択成長に与える影響
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HVPE生长过程中PECVD法形成的SiO2掩膜质量对GaN选择性生长的影响
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
只友 一行
中科院分区：
文献类型：
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作者：
板垣憲広;河原慎;山根啓輔;岡田成仁;井本良;本山慎一;小林貴之;只友 一行
