Depth Analysis of Near Valence Band Mximum Defect States in Amorphous Oxide Semiconductors: In-Ga-Zn-O
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非晶氧化物半导体 In-Ga-Zn-O 近价带最大缺陷态的深度分析
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Toshio Kamiya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Keisuke Ide;Masato Ota;Takayoshi Katase;Hidenori Hiramatsu;Shigenori Ueda;Hideo Hosono;and Toshio Kamiya
