InGaAsナノシートチャネルを持つマルチゲートMOSFETに向けた作製プロセス開発
InGaAsナノシートチャネルを持つマルチゲートMOSFETに向けた作製プロセス開発
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具有 InGaAs 纳米片通道的多栅极 MOSFET 的制造工艺开发
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
宮本恭幸
中科院分区：
文献类型：
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作者：
大澤一斗;金澤 徹;木瀬信和;雨宮智宏;宮本恭幸
