Channel Strain Measurement in 32-nm-Node Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor by Raman Spectroscopy
Channel Strain Measurement in 32-nm-Node Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor by Raman Spectroscopy
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通过拉曼光谱测量 32 纳米节点互补金属氧化物半导体场效应晶体管的通道应变
DOI：
10.1143/jjap.51.04da04
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发表时间：
2012
影响因子：
1.5
通讯作者：
Munehisa Takei
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Rei Yamagishi;Kiyotaka Obunai;Tadao Fukuta;Koichi Ozaki;Yusuke Numata;Munehisa Takei
