低速電子線回折によるHCI浸漬後のGe表面の終端構造評価
低速電子線回折によるHCI浸漬後のGe表面の終端構造評価
复制标题
使用低速电子衍射评估 HCI 浸没后 Ge 表面的终止结构
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
有馬健太
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
米田和史;打越純一;森田瑞穂;有馬健太
