Impurity levels and bandedge electronic structure in as-grown arsenic-doped HgCdTe by infrared photoreflectance spectroscopy

Impurity levels and bandedge electronic structure in as-grown arsenic-doped HgCdTe by infrared photoreflectance spectroscopy
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通过红外光反射光谱研究生长的砷掺杂 HgCdTe 中的杂质水平和带边电子结构

DOI：
10.1103/physrevb.80.155125
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发表时间：
2009-10
期刊：
Physical Review B (IF=3.772)
影响因子：
--
通讯作者：
Jun Shao
Jun Shao
中科院分区：
其他
文献类型：
--
作者：
Shaoling Guo;Jianrong Yang;Lu Chen;Yanfeng Wei;Wei Lu;Li He;Xiang Lü;Junhao Chu;Jun Shao

文献摘要

被引文献

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