Growth of semipolar (202̄1) GaN layers on patterned silicon (114) 1° off by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
Growth of semipolar (202̄1) GaN layers on patterned silicon (114) 1° off by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
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通过金属有机气相外延在图案化硅 (114) 1° 上生长半极性 (202̄1) GaN 层
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
P. Vennégués
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Michel Khoury;M. Leroux;M. Nemoz;G. Feuillet;J. Zúñiga;P. Vennégués
