A.Hashimoto: "Initial Growth stage of GaN on Si Substrate by Alternating Source Supply using Dimethyl-hydrazine" Abstracts of 9th International Conference on MBE. 3-18 (1996)
A.Hashimoto: "Initial Growth stage of GaN on Si Substrate by Alternating Source Supply using Dimethyl-hydrazine" Abstracts of 9th International Conference on MBE. 3-18 (1996)
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A.Hashimoto：“通过使用二甲基肼的交替源供应来实现硅衬底上 GaN 的初始生长阶段”第九届国际 MBE 会议摘要。
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