Enhancements of photoluminescence intensity in high-quality floating-zone Si by thermal annealing in vacuum
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真空热退火提高高质量浮区硅的光致发光强度
DOI：
10.7567/jjap.55.110308
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Daimon
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Kataoka;K. Hattori;A. Yamamoto;A. N. Hattori;T. Hatayama;Y. Kimoto;K. Endo;T. Fuyuki;H. Daimon
