Quantum Monte Carlo Device Simulation on Nano-Scaled SOI-MOSFETs
Quantum Monte Carlo Device Simulation on Nano-Scaled SOI-MOSFETs
复制标题
纳米级 SOI-MOSFET 的量子蒙特卡罗器件仿真
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Tsuchiya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Umegaki;M.Ogawa;Y.Makino;T.Miyoshi;T.Miyoshi;T.Umegaki;T.Umegaki;M.Ogawa;T.Umegaki;M.Ogawa;H.Tsuchiya;H.Tsuchiya
