Effects of Channel Thinning on Threshold Voltage Shift in Ultrathin Body Silicon Nanocrystal Memories

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沟道细化对超薄体硅纳米晶体存储器阈值电压漂移的影响

DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics Vol. 44, Part 1, No. 4B.
影响因子：
--
通讯作者：
T. Hiramoto
T. Hiramoto
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
K. Yanagidaira;M. Saitoh;T. Hiramoto

文献摘要

参考文献

被引文献

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