Single etch-pit shape on off-angled 4H-SiC(0001) Si-face formed by chlorine trifluoride
Single etch-pit shape on off-angled 4H-SiC(0001) Si-face formed by chlorine trifluoride
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由三氟化氯形成的斜角 4H-SiC(0001) Si 面上的单蚀刻坑形状
DOI：
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发表时间：
2012
影响因子：
1.5
通讯作者：
and T. Fuyuki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Hatayama;T. Tamura;H. Yano;and T. Fuyuki
