M.Hiroshima, T.Yasaka, S.Miyazaki and M.Hirose: ""Electron Trnneling Through Ultra-thin Gate Oxide Formed on Hydrogen-Terminated Si(100)Surfaces"" Jpn.J.Appl.Phys. Vol.33 No 1B. 395-397 (1994)
M.Hiroshima, T.Yasaka, S.Miyazaki and M.Hirose: ""Electron Trnneling Through Ultra-thin Gate Oxide Formed on Hydrogen-Terminated Si(100)Surfaces"" Jpn.J.Appl.Phys. Vol.33 No 1B. 395-397 (1994)
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M.Hiroshima、T.Yasaka、S.Miyazaki 和 M.Hirose：“通过在氢封端的 Si(100) 表面上形成的超薄栅极氧化物进行电子传输”Jpn.J.Appl.Phys。
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