T.Nakamura, H.Tanabe, T.Hitomi, M.Satoh: "Electrical properties of the regrown implantation-induced amorphous layer on (1100)-and (1120)-oriented 6H-SiC"Nuclear Instrumental and Methods. (印刷中).
T.Nakamura, H.Tanabe, T.Hitomi, M.Satoh: "Electrical properties of the regrown implantation-induced amorphous layer on (1100)-and (1120)-oriented 6H-SiC"Nuclear Instrumental and Methods. (印刷中).
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T.Nakamura、H.Tanabe、T.Hitomi、M.Satoh：“(1100) 和 (1120) 取向 6H-SiC 上再生注入诱导非晶层的电特性”核仪器和方法（正在出版）。 ））。
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