Photoluminescence of GaN : Mg grown by metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE)
Photoluminescence of GaN : Mg grown by metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE)
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DOI：
10.1016/s0022-0248(99)00245-6
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发表时间：
1999-08
影响因子：
1.8
通讯作者：
P. Lim;B. Schineller;O. Schön;K. Heime;M. Heuken
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Lim;B. Schineller;O. Schön;K. Heime;M. Heuken
