Improvement of Carrier Lifetimes in Lightly-Doped p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Combination of Thermal Oxidation and Hydrogen Passivation
Improvement of Carrier Lifetimes in Lightly-Doped p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Combination of Thermal Oxidation and Hydrogen Passivation
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通过热氧化和氢钝化相结合提高轻掺杂 p 型 4H-SiC 外延层中的载流子寿命
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and J. Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Okuda;T. Miyazawa;H. Tsuchida;T. Kimoto;and J. Suda
