Transition from single junction to double junction behaviour in SISIS-type Nb-based devices
Transition from single junction to double junction behaviour in SISIS-type Nb-based devices
复制标题
SISIS 型铌基器件中从单结行为到双结行为的转变
DOI：
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发表时间：
1994
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Blamire
中科院分区：
文献类型：
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作者：
I. Nevirkovets;J. Evetts;M. Blamire
