lnP(001)基板上におけるInAs量子ドットの電流注入による屈折率変化量
lnP(001)基板上におけるInAs量子ドットの電流注入による屈折率変化量
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由于在 lnP(001) 基板上电流注入 InAs 量子点而导致的折射率变化
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
下村和彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
杉尾崇行;岩崎寛弥;清水優;茂木瑞穂;下村和彦
